| Galib Barievich Galiev | |
|---|---|
| Syntymäaika | 20. tammikuuta 1947 (75-vuotiaana) |
| Syntymäpaikka | Akhunovo kylä , Uchalinsky piiri , Bashkir ASSR , Neuvostoliitto |
| Maa |
Neuvostoliiton Venäjä |
| Tieteellinen ala | elektroniikka |
| Työpaikka | * Institute of Microwave Semiconductor Electronics RAS |
| Alma mater | * MIET |
| Akateeminen tutkinto | Fysikaalisten ja matemaattisten tieteiden tohtori ( 2004 ) |
Galib Barievich Galiev (s. 20. tammikuuta 1947, Akhunovon kylä, Baškiirin autonomisen sosialistisen neuvostotasavallan Uchalinsky-alue ) - Neuvostoliiton ja Venäjän insinööri, fysiikan ja matemaattisten tieteiden tohtori (2004), laboratorion johtaja "Muotoiluprosessien tutkimus piendimensioisten elektronisten järjestelmien A3B5-yhdisteiden nanoheterorakenteissa" Institute of Microwave Semiconductor Electronics RAS:sta .
1966 - valmistui kultamitalilla Baškiirin ASSR:n Uchalinsky-alueen Akhunovin lukiosta. 1966-1973 - Fysiikan ja teknillisen tiedekunnan MIETin päätoiminen opiskelija , valmistunut automaatio- ja elektroniikkatutkinnon.
c.f.-m. n. (1987) - valon sähköheijastusspektroskopian kehittämiseen puolijohderakenteiden parametrien tarkkuustutkimukseen ja säätöön. Kanssa. n. Kanssa. (1990) Ph.D. n. (2004).
1973–1975 - Neuvostoliiton energiaministeriön fyysisten ongelmien tutkimuslaitoksen insinööri, Moskova, Zelenograd. 1975–1990 - insinööri, vanhempi insinööri, johtava insinööri, s. n. Kanssa. Neuvostoliiton talousministeriön molekyylielektroniikan tutkimuslaitos, Moskova, Zelenograd. 1990–2002 - Kanssa. n. s., i. noin. pää lab., pää. lab. IRE RAS, Moskova. vuodesta 2003 tähän päivään - johtaja. lab. ISWCHPE RAS, Moskova.
Yli 180 tieteellisen artikkelin, 6 tekijänoikeustodistuksen ja 4 patentin kirjoittaja. 1 monografian "Nanostructures in microwave semiconductor electronics" toinen kirjoittaja M.: "Tekhnosfera", 2010. Hän oli 16 jatko-opiskelijan ja 3 Ph.D. x jatko-opiskelijan ohjaajana.