Kirk-efekti

Kirk-ilmiö - ilmiö, jossa kaksinapaisen transistorin kannan paksuus kasvaa , mikä johtuu kollektorivirran noususta tietyn arvon yläpuolelle , muiden olosuhteiden pysyessä muuttumattomina. $I_{CK}$

Tämä selittyy vähemmistökantoaaltojen pitoisuuden kasvulla pohjassa korkeilla kollektorivirroilla, mikä aiheuttaa kollektoriliitoksen tilavarausalueen paksuuden pienenemisen ja siten pohjan paksuuden kasvun. Kollektorivirran kynnysarvo , josta alkaen Kirk-ilmiö esiintyy, määräytyy ehdosta, että virran aiheuttama elektronipitoisuus ylittää kollektorin puolelta kantarajalla olevan epäpuhtauspitoisuuden , eli kollektorin puolelta. kunto . Tästä seuraa: Kirk-ilmiö vähentää virran vahvistusta ja pidentää vähemmistökantoaaltojen kulkuaikaa tukiaseman läpi. $I_{CK}$ $I_{CK}$ $N_{B}$ ${\frac {I_{CK}}{Sev_{s}}}>N_{B}$ $I_{CK}>Sev_{s}N_{B}$ $\beta _{F}={\frac {|I_{C}|}{|I_{B}|}}$

Katso myös

Varhainen vaikutus

Kirjallisuus

Sugano, T., Ikoma T., Takeishi Y. Johdatus mikroelektroniikkaan. - M.: Mir, 1988. - S. 102. - ISBN 5-03-001109-9 .