Gallium antimonidi | |
---|---|
Kenraali | |
Chem. kaava | GaSb |
Fyysiset ominaisuudet | |
Osavaltio | kiinteä |
Moolimassa | 191,483 g/ mol |
Tiheys | 5,619 g/cm³ |
Lämpöominaisuudet | |
Lämpötila | |
• sulaminen | 710 °C |
Kriittinen piste | Lämpötila: 385 °C Paine 5,58 GPa |
Lämmönjohtokyky | 35 W/(m K) |
Spesifinen sulamislämpö | −44,2 J/kg |
Rakenne | |
Kristallirakenne | kuutio (a = 0,609593 nm), sfaleriittirakenne |
Luokitus | |
Reg. CAS-numero | 12064-03-8 |
PubChem | 4227894 |
Reg. EINECS-numero | 235-058-8 |
Hymyilee | [Ga]#[Sb] |
InChI | InChI=1S/Ga.SbVTGARNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N |
ChemSpider | 3436915 ja 7969892 |
Turvallisuus | |
NFPA 704 |
![]() |
Tiedot perustuvat standardiolosuhteisiin (25 °C, 100 kPa), ellei toisin mainita. |
Galliumantimonidi ( gallium stibid ) on galliumin ja antimonin kemiallinen yhdiste . Kemiallinen kaava on GaSb. Se on vaaleanharmaita kiteitä, joilla on metallinen kiilto.
Galliumantimonidi on vakaa ilmassa ja vedessä, reagoi hitaasti mineraalihappojen ja väkevien alkaliliuosten kanssa. Ryhmän A III B V suoravälinen puolijohde , jonka kaistaväli on 0,726 eV 300 K:n lämpötilassa. Sitä käytetään spektrin infrapuna -alueella toimivien LEDien , tunnelidiodien , luomiseen .
GaSb saadaan sulattamalla Ga 5 %:n ylimäärään Sb :tä H2 - atmosfäärissä , kvartsi- tai grafiittisäiliöissä, minkä jälkeen GaSb homogenoidaan vyöhykesulattamalla.
_ | Galliumyhdisteet|
---|---|
galliumantimonidi (GaSb) galliumarsenaatti ( GaAsO4 ) Galliumarsenidi (GaAs) Galliumasetaatti (Ga(CH 3 COO) 3 ) gallium(I)bromidi (GaBr) gallium(II)bromidi (GaBr 2 ) gallium(III)bromidi ( GaBr3 ) Gallates Galliumhydroksidi (Ga(OH) 3 ) Galliumhydroksiasetaatti (Ga( CH3COO ) 3 3Ga(OH) 3 3H2O ) _ Digallan (Ga 2 H 6 ) Vetydikloorigallaatti (I) (H[GaCl 2 ]) Gallium(I)jodidi (GaI) Gallium(II)jodidi (GaI 2 ) Gallium(III)jodidi (GaI 3 ) Galliummetahydroksidi (GaO(OH)) Galliumnitraatti (Ga(NO 3 ) 3 ) galliumnitridi (GaN) Galliumoksalaatti (Ga 2 (C 2 O 4 ) 3 ) Galliumoksidi-volframaatti (Ga 2 O 3 2WO 3 8H2O ) _ Galliumoksidiasetaatti (4Ga(CH 3 COO) 3 2Ga2O3 _ _ _ 5H2O ) _ Galliummolybdaattioksidi ( 2Ga2O3 _ _ 3MoO 3 15H2O ) _ Galliumoksidikloridi (GaOCl) Gallium(I)oksidi (Ga 2 O) Gallium(III)oksidi (Ga 2 O 3 ) Gallium(III)perkloraatti (Ga(ClO 4 ) 3 ) Galliumselenaatti (Ga 2 (SeO 4 ) 3 ) Gallium(I)selenidi ( Ga2Se ) gallium(II)selenidi (GaSe) Gallium(III ) selenidi ( Ga2Se3 ) Galliumsulfaatti (Ga 2 (SO 4 ) 3 ) Gallium(I)sulfidi ( Ga2S ) Gallium(II)sulfidi (GaS) Gallium(III ) sulfidi ( Ga2S3 ) Gallium(II)telluridi (GaTe) Gallium(III ) telluridi ( Ga2Te3 ) Tetrametyylidigallaani ( Ga2H2 ( CH3 ) 4 ) _ _ Vetytetrakloorigallaatti (III) (H[GaCl 4 ]) Gallium(III)tiosyanaatti (Ga(NCS) 3 ) Trimetyyligallium (Ga(CH 3 ) 3 ) Trifenyyligallium ( Ga ( C6H5 ) 3 ) Trietyyligallium (Ga(C 2 H 5 ) 3 ) Galliumfosfaatti (GaPO 4 ) galliumfosfidi (GaP) galliumfluoridi ( GaF 3 ) Gallium(II)kloridi (GaCl 2 ) Gallium(III)kloridi ( GaCl3 ) |
Antimonidit | |
---|---|
|