Tekninen prosessi elektroniikkateollisuudessa

Kokeneet kirjoittajat eivät ole vielä tarkistaneet sivun nykyistä versiota, ja se voi poiketa merkittävästi 15.9.2022 tarkistetusta versiosta . tarkastukset vaativat 9 muokkausta .

Puolijohteiden valmistuksen teknologinen prosessi  - puolijohde (p / p) -tuotteiden ja -materiaalien valmistukseen tarkoitettu teknologinen prosessi; osa p/p-tuotteiden ( transistorit , diodit jne.) valmistusprosessia ; koostuu: sarjasta teknologisia (käsittely, kokoonpano) ja ohjaustoimintoja.

P / p - tuotteiden valmistuksessa käytetään valolitografia - ja litografialaitteita . Tämän laitteen resoluutio ( mikroneina ja nm ) (ns. suunnittelustandardit ) määrittää käytetyn teknisen prosessin nimen.

Tekniikan kehittyminen ja p/p-rakenteiden koon suhteellinen pienentäminen myötävaikuttavat puolijohdelaitteiden ( piirit , prosessorit , mikro -ohjaimet jne.) ominaisuuksien (koko, tehonkulutus, toimintataajuudet, kustannukset) paranemiseen. Tämä on erityisen tärkeää prosessoriytimille virrankulutuksen ja suorituskyvyn parantamisen kannalta , joten tämän teknisen prosessin massatuotannon prosessorit (ytimet) on lueteltu alla.

Mikropiirien tuotannon teknologisen prosessin vaiheet

Puolijohdelaitteiden ja integroitujen piirien ( mikroprosessorit , muistimoduulit jne.) valmistuksen teknologinen prosessi sisältää seuraavat toiminnot .

Lämpödiffuusio  on aineen hiukkasten suunnattua liikettä niiden pitoisuuden pienenemisen suuntaan: sen määrää pitoisuusgradientti. Käytetään usein lisäaineiden lisäämiseen puolijohdekiekoihin (tai niille kasvatettuihin epitaksiaalisiin kerroksiin) päinvastaisen johtavuuden saamiseksi alkuperäiseen materiaaliin verrattuna tai elementteihin, joilla on pienempi sähkövastus. Ioniseostus (käytetään korkean liitostiheyden omaavien puolijohdelaitteiden, aurinkokennojen ja mikroaaltorakenteiden valmistuksessa) määräytyy puolijohteessa olevien ionien kineettisen alkuenergian perusteella ja se suoritetaan kahdessa vaiheessa:
  1. ionit viedään puolijohdekiekkoon tyhjiöasennuksessa
  2. hehkutettu korkeassa lämpötilassa
Tämän seurauksena puolijohteen rikkoutunut rakenne palautuu ja epäpuhtaus-ionit miehittävät kidehilan solmut.

Puolijohdetuotteiden valmistustekniikat, joiden elementtikoko on mikronista pienempi, perustuvat erittäin laajaan valikoimaan monimutkaisia ​​fysikaalisia ja kemiallisia prosesseja: ohuita kalvoja saadaan lämpö- ja ioniplasmapputteroinnilla tyhjiössä, kiekot koneistetaan puhtausluokan 14 mukaisesti. poikkeama korkeintaan 1 mikronin tasaisuudesta , lasersäteilyäjaultraääntä , käytetään hehkutusta hapessa ja vedyssä, käyttölämpötilat metallien sulamisen aikana saavuttavat yli 1500 ° C, kun taas diffuusiouunit ylläpitävät lämpötilaa 0,5 tarkkuudella °C, vaarallisia kemiallisia alkuaineita ja yhdisteitä käytetään laajalti (esim. valkoinen fosfori ).

Kaikki tämä johtaa erityisiin teollisuushygieniavaatimuksiin, ns. "elektroniseen hygieniaan", koska puolijohdekiekkojen käsittelyn työalueella tai kiteiden kokoamisoperaatioissa ei saa olla enempää kuin viisi 0,5 mikronin pölyhiukkasta. 1 litrassa ilmaa. Siksi tällaisten tuotteiden tuotantoon tarkoitettujen tehtaiden puhdastiloissa kaikkien työntekijöiden on käytettävä erityisiä haalareita [1] . Intelin mainosmateriaaleissa työntekijöiden haalareita kutsuttiin pupupuvuksi ("pupupuku") [2] [3] .

1970-1980-luvun teknologiset prosessit

Varhaiset tekniset prosessit, ennen NTRS:n (National Technology Roadmap for Semiconductors) ja ITRS :n standardointia , nimettiin "xx mikroniksi" (xx mikronia), jossa xx merkitsi ensin litografisten laitteiden teknistä resoluutiota, sitten alkoi merkitä transistorin pituutta. portti, metalliviivojen puoliväli (puoliväli) ja metalliviivan leveys. 1970-luvulla oli useita teknisiä prosesseja, erityisesti 20, 10, 8, 6, 4, 3, 2 mikronia; keskimäärin joka kolmas vuosi askel pieneni kertoimella 0,7 [4]

3 µm

3 µm on prosessitekniikka, joka vastaa Zilogin ( Z80 ) vuonna 1975 ja Intelin ( Intel 8086 ) vuonna 1979 saavuttamaa teknologian tasoa . Vastaa litografisten laitteiden lineaarista resoluutiota, joka on suunnilleen 3 µm.

1,5 µm

1,5 µm on prosessitekniikka, joka vastaa Intelin vuonna 1982 saavuttamaa teknologian tasoa. Vastaa litografisten laitteiden lineaarista resoluutiota, joka on suunnilleen 1,5 µm.

0,8 µm

0,8 mikronia on prosessitekniikka, joka vastaa Intelin ja IBM :n 1980-luvun lopulla ja 1990-luvun alussa saavuttamaa teknologian tasoa .

0,6 µm / 0,5 µm

Intelin ja IBM:n tuotantolaitosten 1994-1995 saavuttama prosessitekniikka.

Prosessitekniikka 1990-luvun puolivälin jälkeen

NTRS ja ITRS standardisoivat 1990-luvun puolivälistä lähtien toteutettujen prosessien nimitykset, ja ne tunnettiin nimellä "Technology Node" tai "Cycle". Logiikkapiireissä olevien transistorien porttien todelliset mitat ovat hieman pienemmät kuin teknisten prosessien nimessä 350 nm - 45 nm johtuen resist-kuvion ohennus- ja resistituhkaustekniikoiden käyttöönotosta . Sen jälkeen teknisten prosessien kaupalliset nimet ovat lakanneet vastaamasta sulkimen pituutta [4] [5] .

Siirtyessä seuraavaan ITRS-prosessitekniikkaan yhden bitin SRAM-muistin vakiosolun pinta-ala puolittui keskimäärin. Vuosina 1995-2008 tämä transistorin tiheyden kaksinkertaistui keskimäärin joka toinen vuosi [4] .

350 nm

350 nm on prosessitekniikka, joka vastaa johtavien siruvalmistajien, kuten Intelin, IBM:n ja TSMC :n, vuosina 1995–1997 saavuttamaa teknologian tasoa . Vastaa litografisten laitteiden lineaarista resoluutiota, joka on suunnilleen 0,35 µm.

250 nm

250 nm on prosessitekniikka, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuonna 1998 saavuttamaa teknologian tasoa. Vastaa litografisten laitteiden lineaarista resoluutiota, joka on suunnilleen 0,25 µm.

Käytetään jopa 6 metallikerrosta, litografisten maskien vähimmäismäärä on 22 .

180 nm

180 nm on prosessitekniikka, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuonna 1999 saavuttamaa teknologian tasoa. Vastaa aiemman 0,25 µm:n prosessin pakkaustiheyden kaksinkertaistamista, ja ensimmäistä kertaa käytetään kuparipohjaisiin lastuihin perustuvia sisäisiä liitoksia , joiden vastus on pienempi kuin edellisellä alumiinilla.

Sisältää jopa 6-7 metallikerrosta. Litografisten maskien vähimmäismäärä on noin 22 .

130 nm

130 nm on prosessitekniikka, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuonna 2001 saavuttamaa teknologiatasoa. ITRS-mallien [6] mukaisesti vastaa elementtien sijoittelun tiheyden kaksinkertaistamista verrattuna aiempaan 0,18 mikronin prosessitekniikkaan.

Prosessitekniikka alle 100 nm

Eri teknologialiittoumat voivat noudattaa erilaisia ​​ohjeita (Foundry/IDM) viitatakseen hienompiin prosesseihin. Erityisesti TSMC käyttää nimityksiä 40 nm, 28 nm ja 20 nm prosesseissa, jotka ovat tiheydeltään samanlaisia ​​kuin Intelin 45 nm, 32 nm ja 22 nm [7] .

90 nm

90 nm on puolijohdeteknologian tasoa vastaava prosessitekniikka, joka saavutettiin vuosina 2002-2003 . ITRS-mallien [6] mukaisesti vastaa elementtien sijoittelun tiheyden kaksinkertaistamista edelliseen tekniseen prosessiin verrattuna 0,13 µm.

90 nm:n suunnitteluprosessia käytetään usein jännitettyjen piiteknologioiden sekä uusien matala -k dielektristen eristemateriaalien kanssa .

65 nm

65 nm on prosessitekniikka, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuoteen 2004 mennessä saavuttamaa teknologian tasoa. ITRS-mallien [6] mukaisesti vastaa elementtien sijoittelun tiheyden kaksinkertaistamista verrattuna aiempaan 90 nm:n prosessitekniikkaan.

45 nm / 40 nm

45 nm ja 40 nm ovat tekninen prosessi, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuosiin 2006-2007 saavuttamaa teknologiatasoa . ITRS-mallien [6] mukaan vastaa elementtien sijoittelun tiheyden kaksinkertaistamista verrattuna aikaisempaan 65 nm:n prosessitekniikkaan.

Siitä tuli vallankumouksellinen mikroelektroniikkateollisuudelle, koska se oli ensimmäinen prosessitekniikka, jossa käytettiin korkean k/metalliportin tekniikkaa [8] [9] (HfSiON / TaN Intel-teknologiassa) korvaamaan fyysisesti köyhdytetty SiO 2 /poly-Si

32 nm / 28 nm

32 nm on tekninen prosessi, joka vastaa johtavien siruvalmistajien vuosiin 2009-2010 saavuttamaa teknologiatasoa . ITRS-mallien [6] mukaisesti vastaa elementtien sijoittelun tiheyden kaksinkertaistamista verrattuna aikaisempaan 45 nm:n prosessitekniikkaan.

Syksyllä 2009 Intel oli siirtymässä tähän uuteen prosessitekniikkaan [10] [11] [12] [13] [14] . Vuoden 2011 alusta lähtien prosessoreita on valmistettu tällä prosessiteknologialla.

Vuoden 2010 kolmannella neljänneksellä TSMC :n Fab 12 -tehdas Taiwanissa aloitti tuotteiden massatuotannon käyttämällä teknologiaa, joka sai markkinointitunnuksen "28 nanometer" [15] (ei ITRS:n suosittelemaa nimitystä).

Toukokuussa 2011 Altera julkaisi maailman suurimman sirun, joka koostuu 3,9 miljardista transistorista 28 nm:n teknologialla [20] .

22 nm / 20 nm

22 nm on tekninen prosessi, joka vastaa vuosiin 2009-2012 saavutettua teknologian tasoa . johtavat yritykset - mikropiirien valmistajat. Vastaa elementtien tiheyden kaksinkertaistamista verrattuna aiempaan 32 nm:n prosessitekniikkaan.

22 nm:n elementit muodostetaan fotolitografialla, jossa maski altistetaan valolle aallonpituudella 193 nm [21] [22] .

Vuonna 2008 San Franciscossa järjestetyssä vuosittaisessa korkean teknologian näyttelyssä International Electron Devices Meeting IBM:n, AMD:n ja Toshiban teknologialiitto esitteli FinFET -tyyppisistä transistoreista 22 nm:n prosessiteknologialla valmistettua SRAM - muistisolua , joka puolestaan valmistetaan edistyksellisen teknologian korkean k /metallin portilla (transistoriportit eivät ole valmistettu piistä, vaan hafniumista ), joiden pinta-ala on vain 0,128 μm² (0,58 × 0,22 μm) [23] .

IBM ja AMD ilmoittivat myös kehittävänsä 0,1 μm²:n SRAM-kennon, joka perustuu 22 nm:n prosessitekniikkaan [24] .
Intel esitteli ensimmäiset toimivat testinäytteet säännöllisistä rakenteista (SRAM) yleisölle vuonna 2009 [25] . 22nm testisirut ovat SRAM-muisti- ja logiikkamoduuleja. SRAM-solut, joiden koko on 0,108 ja 0,092 µm2, toimivat 364 miljoonan bitin ryhmissä. 0,108 µm² kenno on optimoitu pienjänniteympäristöihin, kun taas 0,092 µm² kenno on pienin nykyään tunnettu SRAM-kenno.

Tätä tekniikkaa on käytetty tuottamaan (vuoden 2012 alusta):

16 nm / 14 nm

Toukokuusta 2014 lähtien Samsung jatkoi 14 nm:n LPE/LPP-prosessiteknologian kehittämistä [26] ; ja aikoo julkaista prosessorit Applelle vuonna 2015 [27] .

Syyskuusta 2014 lähtien TSMC jatkoi 16 nm Fin Field Effect Transistor ( FinFET ) -prosessiteknologian kehittämistä ja suunnitteli aloittavansa 16 nm:n tuotannon vuoden 2015 ensimmäisellä neljänneksellä [28] .

Intelin laajan strategian mukaan koon pienentämistä 14 nm:iin odotettiin alun perin vuosi Haswell-sirun käyttöönoton jälkeen (2013); uuden prosessitekniikan prosessorit käyttävät Broadwell - arkkitehtuuria . Intel vaati 14 nm:n prosessitekniikan kriittisillä kerroksilla maskien käyttöä käänteislitografiatekniikalla (ILT) ja SMO:lla (Source Mask Optimization) [29] .

MCST -yhtiö esitteli vuonna 2021 16 nm Elbrus-16C -prosessorin .

Huhtikuussa 2018 AMD esitteli Zen+ -prosessorit , jotka perustuvat parannettuun 14 nm:n prosessiin, jota kutsutaan alustavasti nimellä "12 nm":

10 nm

Taiwanilainen valmistaja United Microelectronics Corporation (UMC) on ilmoittanut liittyvänsä IBM Technology Allianceen osallistuakseen 10 nm:n CMOS-prosessin kehittämiseen [31] .

Vuonna 2011 julkaistiin tietoa Intelin suunnitelmista ottaa käyttöön 10 nm:n prosessiteknologia vuoteen 2018 mennessä [32] , lokakuussa 2017 Intel ilmoitti suunnitelmistaan ​​aloittaa tuotanto ennen vuoden 2017 loppua [33] , mutta lopulta julkaisun jälkeen. Vuonna 2018 erittäin rajoitetusta 10 nm:n Intel Core i3-8121U -mobiiliprosessorin erästä 10 nm:n prosessiteknologiaa käyttävien Intel-prosessorien massatuotanto alkoi vasta vuonna 2019 mobiililaitteille ja vuonna 2020 pöytäkoneille.

TSMC suunnitteli 10 nm:n standardien mukaista koetuotantoa vuodelle 2015 ja sarjatuotantoa vuodelle 2016 [34] .
Vuoden 2017 alussa 10 nm:n tuotto oli noin 1 % TSMC:n tuotannosta [35]

Samsung aloitti 10 nm:n tuotannon vuonna 2017 [36]

7 nm

Intel 7nm:n prosessitekniikalla (odotetaan vuonna 2022) [39] Hardwareluxx:n mukaan aikoo sijoittaa 242 miljoonaa transistoria neliömillimetriä kohti [40] .

Vuonna 2018 TSMC :n tehtaat aloittivat Apple A12 [41] , Kirin 980 [42] ja Snapdragon 855 [43] mobiiliprosessorien tuotannon . 7nm:n prosessorien tuotanto x86-arkkitehtuurilla viivästyy, ensimmäiset näytteet tästä arkkitehtuurista ilmestyvät aikaisintaan vuonna 2019. Venäläisen verkkojulkaisun Russian Tom's Hardware Guide mukaan ensimmäisen sukupolven 7 nm:n prosessiteknologian avulla TSMC voi sijoittaa 66 miljoonaa transistoria neliömillimetriä kohti, kun taas Intel voi sijoittaa 10 nm:n prosessiteknologiaa käyttäen 100 miljoonaa transistoria samanlainen alue [44] . Siirtyminen toiseen sukupolveen[ selventää ] TSMC:n 7 nm:n prosessi tapahtui vuonna 2019. Ensimmäinen tällä prosessiteknologialla valmistettu massatuote oli Apple A13 .

Kiinalainen SMIC on tuottanut 7 nm:n siruja vanhoilla laitteillaan vuodesta 2021 [45]

Tuotteet:

6 nm / 5 nm

16.4.2019 TSMC julkisti 6 nm:n prosessiteknologian kehittämisen riskituotannossa, joka mahdollistaa mikropiirielementtien pakkaustiheyden lisäämisen 18 %:lla, tämä prosessitekniikka on halvempi vaihtoehto 5 nm:n prosessiteknologialle, sen avulla voit helposti skaalata 7 nm:lle kehitettyjä topologioita [49] .

Vuoden 2019 ensimmäisellä puoliskolla TSMC aloitti riskinoton 5 nm:n sirun valmistuksen. [50] ; siirtyminen tähän tekniikkaan mahdollistaa elektronisten komponenttien pakkaustiheyden lisäämisen 80 % ja nopeuden lisäämisen 15 % [51] . China Renaissancen mukaan TSMC N5 -prosessitekniikka sisältää 170 miljoonaa transistoria neliömillimetriä kohden [52] .

Samsung esitteli maaliskuussa 2017 etenemissuunnitelman prosessorien julkaisusta 7- ja 5-nm-tekniikoille. Samsungin teknologiajohtaja Ho-Q Kang totesi esityksen aikana, että monet valmistajat ovat kohdanneet ongelman kehittäessään alle 10 nm:n teknologioita. Samsung onnistui kuitenkin saavuttamaan tavoitteen, jonka avaimena oli "rengasportilla" varustetun kenttätransistorin käyttö ( GAAFET ). Näiden transistorien ansiosta yritys voi jatkaa pienentämistä 7 nm:iin ja 5 nm:iin. Yritys käyttää äärimmäistä ultraviolettilitografiaa (EUV) [53] kiekkojen valmistukseen . Vuonna 2020 Samsung aloitti 5 nm:n sirujen massatuotannon [54] . Samsung 5LPE -prosessiteknologian tiheys oli 125-130 miljoonaa transistoria neliömillimetriä kohti [52] .

Ensimmäinen 5 nm:n prosessiteknologialla valmistettu massatuote oli Apple A14 , joka esiteltiin syyskuussa 2020. Hänen takanaan marraskuussa 2020 esiteltiin Apple M1 -prosessori , joka on suunniteltu Macintosh-tietokoneille .

4 nm

3 nm

IMEK Research Center (Belgia) ja Cadence Design Systems loivat teknologian ja julkaisivat vuoden 2018 alussa ensimmäiset koenäytteet mikroprosessoreista, joissa käytetään 3 nm:n tekniikkaa [55] .

Vuoden 2020 lopussa 3nm topologian käyttöön ottaneen TSMC :n mukaan siihen siirtyminen lisää prosessorin suorituskykyä 10-15 % verrattuna nykyisiin 5nm siruihin ja niiden virrankulutus laskee 25-30 %. [56]

Samsung on pyrkinyt aloittamaan 3nm:n tuotteiden valmistuksen GAAFET-teknologialla vuoteen 2021 mennessä [57] [58] . Samsung ilmoitti
30. kesäkuuta 2022 aloittaneensa 3nm:n prosessorien massatuotannon, ja siitä tuli ensimmäinen yritys, joka on saavuttanut tämän [59] [60] .

Intel aikoo yhteistyössä TSMC:n kanssa julkaista ensimmäisen 3 nm:n prosessorinsa vuoden 2023 alussa (Intelillä on suunnitteluehdotus vähintään kahdelle 3 nm:n sirulle, toinen kannettaville tietokoneille ja toinen palvelimille). Myös Apple valmistautuu siirtymään 3 nm:iin - se aikoo tehdä sen keväällä 2022 julkaisemalla uuden version iPad Pro -tabletista . [56]

2 nm

Toukokuussa 2021 IBM ilmoitti luovansa ensimmäisen 2 nm:n sirun [61] [62] .

TSMC :n toimitusjohtajan mukaan osana 2nm-tekniikkaan siirtymistä painotetaan energiatehokkuutta: transistorien kytkentänopeus, joka vaikuttaa suoraan komponentin suorituskykyyn, kasvaa 10-15 % samalla virrankulutuksella. , tai on mahdollista saavuttaa 20-30 prosentin vähennys virrankulutuksessa samalla suorituskykytasolla; transistorien tiheys verrattuna N3E-prosessiin kasvaa vain 20 % (joka on alle tyypillisen kasvun). [63] . TSMC:n (N2-prosessitekniikka) 2 nm:n sirut ilmestyvät vuonna 2026 [64]

Oletusten [65] mukaan Intel aikoo siirtyä 1,4 nm:iin vuonna 2029.

Katso myös

Muistiinpanot

  1. ↑

    Henkilökohtaisina suojavarusteina käytetään metalloidusta kankaasta valmistettuja haalareita (haalarit, kylpytakit, esiliinat, takit, joissa on huppu ja niihin sisäänrakennetut suojalasit)

    - Gorodilin V. M. , Gorodilin V. V. § 21. Säteily, sen vaikutukset ympäristöön ja toimenpiteet ympäristön puolesta taistelemiseksi. // Radiolaitteiden säätö. - Neljäs painos, tarkistettu ja laajennettu. - M . : Korkeakoulu, 1992. - S. 79. - ISBN 5-06-000881-9 .
  2. ↑ Pieneisyys ja puhtaus (pääsemätön linkki) . Haettu 17. marraskuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 5. elokuuta 2013. 
  3. ↑ Intel-museo – hiekasta piireihin . Haettu 17. marraskuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 20. marraskuuta 2010.
  4. ↑ 1 2 3 H. Iwai. Etenemissuunnitelma 22 nm:lle ja pidemmälle  //  Microelectronic Engineering. — Elsevier, 2009. — Voi. 86 , iss. 7-9 . - s. 1520-1528 . - doi : 10.1016/j.mee.2009.03.129 . Arkistoitu alkuperäisestä 23. syyskuuta 2015. ; diat Arkistoitu 2. huhtikuuta 2015 Wayback Machinessa
  5. ↑ Mitä '45 nm' muuten tarkoittaa? Arkistoitu 28. maaliskuuta 2016 Wayback Machinessa // EDN, 22. lokakuuta 2007 "Tuloksena oli, että noin 350 nm:llä (jota tuolloin kutsuttiin 0,35 mikronia) "350 nm" oli tullut yksinkertaisesti prosessin nimi. kuin minkään fyysisen ulottuvuuden mitta."
  6. ↑ 1 2 3 4 5 Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Prosessi ja tila - Osa 3 Arkistoitu 2. huhtikuuta 2015 Wayback Machinessa , 2013: " ITRS MPU -ohjainmalli ..skaalata logiikkatransistorien määrää .. 2 × teknologiasolmukohtaisesti. Koska mitat kutistuvat 0,7 × solmua kohti ja nimellinen layouttiheys kaksinkertaistuu, tämä yksinkertainen skaalausmalli mahdollistaa meistin koon pysymisen vakiona kaikissa teknologiasolmuissa. »
  7. ↑ Scotten Jones . Kuka johtaa 10 nm:ssä? , SemiWiki (29. syyskuuta 2014). Arkistoitu alkuperäisestä 14. kesäkuuta 2016. Haettu 27. lokakuuta 2015.
  8. ↑ PRESS KIT - Ensimmäiset 45 nm:n sirut: Ympäristöystävällinen. Nopeammin. 'Jäähdytin'. . Haettu 5. tammikuuta 2014. Arkistoitu alkuperäisestä 6. tammikuuta 2014.
  9. ↑ Intel osoittaa High-k + Metal Gate -transistorin läpimurron 45 nm:n mikroprosessoreissa . Haettu 5. tammikuuta 2014. Arkistoitu alkuperäisestä 6. tammikuuta 2014.
  10. ↑ Intel 32nm Logic Technology arkistoitu 5. kesäkuuta 2011 Wayback Machinessa 
  11. ↑ Intel-prosessorit 32 nm tekniikalla (pääsemätön linkki) . Haettu 6. kesäkuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 30. maaliskuuta 2010. 
  12. ↑ Uusia yksityiskohtia Intelin tulevasta 32 nm:n logiikkateknologiasta , arkistoitu 4. marraskuuta 2009 Wayback Machinessa 
  13. ↑ Valkoinen kirja Intelin 32nm:n prosessiteknologian esittely arkistoitu 24. elokuuta 2009 Wayback Machinessa 
  14. ↑ Suorituskykyinen 32 nm:n logiikkatekniikka, jossa on 2. sukupolven High-k + Metal Gate -transistorit . Haettu 6. kesäkuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 21. elokuuta 2010.
  15. ↑ TSMC voittaa 40 nm:n haasteet lanseeratakseen tänä vuonna 28 nm:ssä (linkki ei käytettävissä) . Haettu 19. kesäkuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 6. lokakuuta 2017. 
  16. ↑ AMD korjaa Bulldozerin haitat Steamroller-arkkitehtuurissa . Haettu 13. heinäkuuta 2013. Arkistoitu alkuperäisestä 21. kesäkuuta 2013.
  17. ↑ AMD:n uusi "Steamroller"-arkkitehtuuri vuonna 2014? Arkistoitu 28. helmikuuta 2014 Wayback Machinessa // 3.01.2013
  18. ↑ MCST . Uusi 8-ytiminen mikroprosessori Elbrus-8C . Arkistoitu 11. marraskuuta 2020. Haettu 26. kesäkuuta 2014.
  19. ↑ Kahdeksanytiminen mikroprosessori Elbrus-arkkitehtuurilla (pääsemätön linkki) . Arkistoitu alkuperäisestä 25. kesäkuuta 2014. 
  20. ↑ Altera Corporation teki uuden alan ennätyksen - Stratix V Field-Programmable Gate Array (FPGA) (linkki ei ole käytettävissä) . Haettu 29. toukokuuta 2011. Arkistoitu alkuperäisestä 5. maaliskuuta 2016. 
  21. ↑ Uutisia Intel Developer Forumista (IDF), joka pidettiin 22.–24. syyskuuta San Franciscossa  (linkki ei saavutettavissa)
  22. ↑ The Rosetta Stone of Lithography Arkistoitu 28. marraskuuta 2013 Wayback Machinessa , 2013-11-20, perustuu Lars Leibmannin teokseen The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013
  23. ↑ IBM, AMD ja Toshiba esittelevät ensimmäisen 22 nm:n SRAM-muistisolun  (linkki ei käytettävissä)
  24. ↑ IBM ja AMD esittelevät 22 nm:n muistisolun (linkki ei ole käytettävissä) . Haettu 7. kesäkuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 5. maaliskuuta 2016. 
  25. ↑ Intel Developer Forum 22nm News Facts . Haettu 6. kesäkuuta 2010. Arkistoitu alkuperäisestä 7. lokakuuta 2009.
  26. ↑ [1] Arkistoitu 17. toukokuuta 2014 Wayback Machinessa // digitimes.com
  27. ↑ Samsung valmistaa Applelle prosessoreita 14 nm:n standardien mukaisesti. Arkistoitu alkuperäisestä 5. heinäkuuta 2017. // iXBT.com
  28. ↑ TSMC aloittaa 16 nanometrin tuotannon vuoden 2015 ensimmäisellä neljänneksellä Arkistoitu 1. elokuuta 2014 Wayback Machinessa // nvworld.ru
  29. ↑ V. Singh. EUV: The Computational Landscape EUVL Workshop, 2014 Arkistoitu 22. joulukuuta 2015 Wayback Machinessa "ILT+SMO:ta käytetään 14nm ja 10nm solmujen kriittisten maskien kuvan terävöittämiseen"
  30. ↑ Intel alkaa myydä 14nm Celeron N3000-, N3050-, N3150- ja Pentium N3700 ( Braswell ) -suorittimia
  31. ↑ UMC liittyy IBM:ään kehittämään 10nm prosessiteknologiaa . Haettu 17. kesäkuuta 2013. Arkistoitu alkuperäisestä 19. kesäkuuta 2013.
  32. ↑ Vuotaneet Intelin liukupisteet 10 nm:n prosessiteknologiaan vuonna 2018 Arkistoitu 23. joulukuuta 2011 Wayback Machinessa // 3DNews
  33. ↑ 10 nm:n Intel-prosessorit ilmestyvät edelleen tänä vuonna, mutta erittäin rajoitettu määrä . Arkistoitu 30. lokakuuta 2017 Wayback Machinessa // IXBT.com, lokakuu 2017
  34. ↑ Ensi vuonna TSMC aikoo aloittaa koekäytön ja vuonna 2016 - sarjatuotannon 10 nm:n standardien mukaan. Arkistoitu 10. helmikuuta 2019 Wayback Machinessa // IXBT.com
  35. ↑ [2] Arkistoitu 7. marraskuuta 2017 Wayback Machinessa // eetimes.com
  36. ↑ [3] Arkistoitu 7. marraskuuta 2017 Wayback Machinessa // eetimes.com
  37. ↑ 10 nm Intel Ice Lake -prosessorit saattavat viivästyä vuoteen 2020 (Se, että Intel ei tullut toimeen 10 nm:n prosessin kanssa, ei ole enää salaisuus) Arkistoitu 18. syyskuuta 2018 Wayback Machinessa // IXBT.com, 18. syyskuuta 2018
  38. ↑ Snapdragon 845 Tekniset tiedot | AndroidLime . androidlime.ru Haettu 23. toukokuuta 2018. Arkistoitu alkuperäisestä 24. toukokuuta 2018.
  39. ↑ Intelin 7nm :n julkaisuaikataulu vuonna 2022 tulee olemaan melko tiukka
  40. ↑ Andrei Schilling. Prosessien vertailu: TSMC 5 nm, Intel 10 nm ja GloFo 7 nm . "Hardwareluxx" (18. toukokuuta 2018). Haettu 10. syyskuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 09. maaliskuuta 2019.
  41. ↑ Apple A12 -prosessorien tuotanto uusiin iPhone-puhelimiin on alkanut  (venäjäksi) , Wylsacom  (23.5.2018). Arkistoitu alkuperäisestä 1. elokuuta 2018. Haettu 1.8.2018.
  42. ↑ Huawei aloittaa Kirin 980 -prosessorin tuotannon Mate 20:lle, P30:lle ja muille älypuhelimille  (venäläinen) , AKKet  (8. huhtikuuta 2018). Arkistoitu alkuperäisestä 1. elokuuta 2018. Haettu 1.8.2018.
  43. ↑ Snapdragon 855 lanseerattiin massatuotantoon  (venäjäksi) , android-1.com . Arkistoitu alkuperäisestä 1. elokuuta 2018. Haettu 1.8.2018.
  44. ↑ AMD Ryzen 3000: Kaikki mitä sinun tulee tietää seuraavan sukupolven suorittimista . THG.ru (5. helmikuuta 2019). Haettu 7. maaliskuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 7. maaliskuuta 2019.
  45. ↑ Kiinalainen SMIC on julkaissut 7nm siruja vanhoille laitteille noin vuoden ajan - ne ovat samanlaisia ​​kuin TSMC - ratkaisut
  46. ↑ AMD: ensimmäiset tällaiset prosessorit julkaistaan ​​vasta ensi vuonna . Arkistoitu 3. marraskuuta 2018 Wayback Machineen // IXBT.com , marraskuu 2018
  47. ↑ AMD valmistautuu valtaamaan kannettavien tietokoneiden markkinat 7nm Ryzen 4000 APU:illa Arkistoitu 5. huhtikuuta 2020 Wayback Machinessa // 3DNews, 16.3.2020
  48. ↑ AMD Zen 3 -suorittimet tarjoavat uutta arkkitehtuuria , merkittäviä IPC-hyötyjä ja paljon muuta  . Haettu 14. tammikuuta 2020. Arkistoitu alkuperäisestä 26. joulukuuta 2019.
  49. ↑ TSMC julkistaa 6 nanometrin  prosessin . TSMC. Haettu 18. huhtikuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 18. huhtikuuta 2019.
  50. ↑ TSMC saa päätökseen 5nm prosessiteknologian kehittämisen – riskialtis tuotanto alkaa . 3DNews . Haettu 10. huhtikuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 8. huhtikuuta 2019.
  51. ↑ TSMC ja OIP Ecosystem Partners toimittavat teollisuuden ensimmäisen täydellisen suunnitteluinfrastruktuurin 5nm:n  prosessiteknologialle . TSMC. Haettu 18. huhtikuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 14. huhtikuuta 2019.
  52. ↑ 1 2 Konstantin Khodakovsky. TSMC puhui lupaavista teknisistä prosesseista: 2 nm - kehitteillä, 3 nm ja 4 nm - matkalla tuotantoon vuonna 2022 . 3dnews.ru (27. huhtikuuta 2021). Haettu 28. huhtikuuta 2021. Arkistoitu alkuperäisestä 28. huhtikuuta 2021.
  53. ↑ Samsung nostaa 7nm:iin ensi vuonna Arkistoitu 13. heinäkuuta 2017 Wayback Machinessa // fudzilla.com
  54. ↑ Aleksei Razin. Samsung on aloittanut 5nm:n sirujen massatuotannon ja valmistautuu tarjoamaan 4nm:n siruja . 3dnews.ru (2. marraskuuta 2020). Haettu 28. huhtikuuta 2021. Arkistoitu alkuperäisestä 7. marraskuuta 2020.
  55. ↑ Imec and Cadence Tape Out -teollisuuden ensimmäinen 3 nm:n testisiru . Haettu 18. maaliskuuta 2018. Arkistoitu alkuperäisestä 18. maaliskuuta 2018.
  56. ↑ 1 2 Intel tekee ennätysloikan tekniikassa. Se siirtyy 10 nm: n siruista huippuluokan 3 nm : iin
  57. ↑ Samsung aikoo aloittaa 3 nanometrin massatuotannon vuonna 2021 . 3D News Daily Digital Digest . Haettu 10. huhtikuuta 2019. Arkistoitu alkuperäisestä 10. huhtikuuta 2019.
  58. ↑ Samsung suunnittelee 3nm: n GAAFET -sirujen massatuotantoa vuonna 2021  . Tom's Hardware (11. tammikuuta 2019). Haettu: 18.1.2019.
  59. ↑ " Schrödingerin Samsung" : uusimpien 3nm : n prosessorien tuotanto ei ole niin massiivinen kuin ilmoitettiin
  60. ↑ vierailu Etelä-Koreaan – Yhdysvaltain presidentti Joseph Biden antoi nimikirjoituksen piikiekolle, jossa oli näytteitä Samsung Electronicsin valmistamista ensimmäisistä 3 nm:n siruista Wayback Machinessa 5.8.2022 .
  61. ↑ https://www.cnews.ru/news/top/2021-05-06_sozdan_pervyj_v_mire_protsessor . cnews.ru . Haettu 6. toukokuuta 2021. Arkistoitu alkuperäisestä 6. toukokuuta 2021.
  62. ↑ Dr. Ian Cutress. IBM luo ensimmäisen 2 nm sirun . anandtech . Haettu 6. toukokuuta 2021. Arkistoitu alkuperäisestä 6. toukokuuta 2021.
  63. ↑ TSMC voisi parantaa 2 nm :n prosessin suorituskykyä, mutta se olisi liian kallista
  64. ↑ TSMC julkisti N2 -prosessiteknologian - 2nm sirut ilmestyvät vuonna 2026
  65. ↑ Mark Tyson . Intel Senior Fellow ennustaa valoisaa tulevaisuutta Mooren laille Arkistoitu 11. elokuuta 2020 Wayback Machinessa // Hexus, 12. joulukuuta   2019

Kirjallisuus

Linkit