| kupari-indiumgallium-selenidi | |
|---|---|
| Kalkopyriittityyppisten kiteiden yksikkökenno Cu Ga tai In Se | |
| Kenraali | |
| Perinteiset nimet | kupari-indium-gallium-selenidi |
| Chem. kaava | Cu In x Ga 1 – x Se 2 |
| Fyysiset ominaisuudet | |
| Moolimassa |
muuttuja, riippuu x g/ mol |
| Tiheys | ~ 5,7 g/cm³ |
| Lämpöominaisuudet | |
| Lämpötila | |
| • sulaminen | 1070 (x=0) - 990 (x=1) |
| Rakenne | |
| Koordinaatiogeometria | inversio-tasomainen |
| Kristallirakenne |
tetragonaalinen kalkopyriittityyppiä |
| Luokitus | |
| Reg. CAS-numero |
12018-95-0 (x=1), 12018-84-7 (x=0) |
| Tiedot perustuvat standardiolosuhteisiin (25 °C, 100 kPa), ellei toisin mainita. | |
Kupari-indium-gallium-selenidi (myös CIGS - englanti Copper indium gallium selenide ) on kuparin, indiumin, galliumin ja seleenin puolijohdeyhdiste. Se on kupari-indiumselenidin (CIS) ja kupari-gallium-selenidin kiinteä liuos , jonka koostumus ilmaistaan kaavalla Cu In x Ga 1−x Se 2 . Se kiteytyy kalkopyriittityyppisessä rakenteessa. Kaistaväli vaihtelee 1,7 eV :stä x=0:sta 1,0 eV:iin kohdassa x=1 [1] .
Tunnettu käytöstä toisen sukupolven aurinkokennoissa [2] . CIGS-pohjaisten ohutkalvopaneelien etuna on niiden joustavuus.
| Galliumyhdisteet _ | |
|---|---|
| galliumantimonidi (GaSb) galliumarsenaatti ( GaAsO4 ) galliumarsenidi (GaAs) Galliumasetaatti (Ga(CH 3 COO) 3 ) gallium(I)bromidi (GaBr) gallium(II)bromidi (GaBr 2 ) gallium(III)bromidi ( GaBr3 ) Gallates Galliumhydroksidi (Ga(OH) 3 ) Galliumhydroksiasetaatti (Ga( CH3COO ) 3 3Ga(OH) 3 3H2O ) _ Digallan (Ga 2 H 6 ) Vetydikloorigallaatti (I) (H[GaCl 2 ]) Gallium(I)jodidi (GaI) Gallium(II)jodidi (GaI 2 ) Gallium(III)jodidi (GaI 3 ) Galliummetahydroksidi (GaO(OH)) Galliumnitraatti (Ga(NO 3 ) 3 ) galliumnitridi (GaN) Galliumoksalaatti (Ga 2 (C 2 O 4 ) 3 ) Galliumoksidi-volframaatti (Ga 2 O 3 2WO 3 8H2O ) _ Galliumoksidiasetaatti (4Ga(CH 3 COO) 3 2Ga2O3 _ _ _ 5H2O ) _ Galliummolybdaattioksidi ( 2Ga2O3 _ _ 3MoO 3 15H2O ) _ Galliumoksidikloridi (GaOCl) Gallium(I)oksidi (Ga 2 O) Gallium(III)oksidi (Ga 2 O 3 ) Gallium(III)perkloraatti (Ga(ClO 4 ) 3 ) Galliumselenaatti (Ga 2 (SeO 4 ) 3 ) Gallium(I)selenidi ( Ga2Se ) gallium(II)selenidi (GaSe) Gallium(III ) selenidi ( Ga2Se3 ) Galliumsulfaatti (Ga 2 (SO 4 ) 3 ) Gallium(I)sulfidi ( Ga2S ) Gallium(II)sulfidi (GaS) Gallium(III ) sulfidi ( Ga2S3 ) Gallium(II)telluridi (GaTe) Gallium(III ) telluridi ( Ga2Te3 ) Tetrametyylidigallaani ( Ga2H2 ( CH3 ) 4 ) _ _ Vetytetrakloorigallaatti (III) (H[GaCl 4 ]) Gallium(III)tiosyanaatti (Ga(NCS) 3 ) Trimetyyligallium (Ga(CH 3 ) 3 ) Trifenyyligallium ( Ga ( C6H5 ) 3 ) Trietyyligallium (Ga(C 2 H 5 ) 3 ) Galliumfosfaatti (GaPO 4 ) galliumfosfidi (GaP) galliumfluoridi ( GaF 3 ) Gallium(II)kloridi (GaCl 2 ) Gallium(III)kloridi ( GaCl3 ) | |